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用于CF4反应性离子蚀刻Si的非晶氢化碳掩模的选择性沉积
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文献信息
| 篇名 | 用于CF4反应性离子蚀刻Si的非晶氢化碳掩模的选择性沉积 | ||
| 来源期刊 | 等离子体应用技术快报 | 学科 | 物理学 |
| 关键词 | 四氟化碳反应性离子蚀刻 硅 非晶氢化碳 掩膜 选择性沉积 薄膜 | ||
| 年，卷（期） | 2000,（11） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 7-8 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | O484.1 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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四氟化碳反应性离子蚀刻
硅
非晶氢化碳
掩膜
选择性沉积
薄膜
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期刊影响力
等离子体应用技术快报
主办单位：
核工业西南物理研究院
出版周期：
月刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
四川省成都市432信箱
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
864
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