VFPTO下SF6间隙及绝缘子沿面预放电电流特性"

• 作者: 张乔根 王中方 邱毓昌 陈庆国 魏新劳
• 来源期刊: 高压电器
• 学科: 工学
• 关键词: 预放电 快速暂态过电压 先导流注
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 页码范围: 12-14,18
• 页数: 4页
• 分类号: TM5
• 字数: 1678字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1609.2000.04.003

摘要

对SF6气体间隙及绝缘子沿面的预放电电流进行了测量.测量结果证实,正极性VFTO作用下SF6的击穿遵从先导击穿机理;而负极性VFTO作用下SF6的击穿一般遵从茎先导机理或流注放电导致直接击穿.气压大小直接影响先导的起始电压及先导的间隔时间.存在绝缘子时,先导形成时间间隔及步长变短,且在快速振荡冲击电压用下会出现"逆放电"现象,这有利于先导形成,从而降低了闪络电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱毓昌		228	4719	36.0	54.0
2	张乔根		156	1936	24.0	35.0
3	王中方		7	30	3.0	5.0
4	陈庆国		18	320	11.0	17.0
5	魏新劳		6	83	4.0	6.0