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摘要:
利用强流低能氘离子束轰击由吸氢金属形成的氘自吸收靶,研究固体内D-D聚变反应规律.并通过对实验测得的D-D聚变伴随粒子能谱,探索D-D聚变反应与靶材料结构的相关性.同时,利用氘团簇离子(d3+)和氘核(d+)束轰击吸氘固体,研究固体内D-D聚变反应的特性.实验中观测到了伴随离子能谱中介于质子峰(3MeV)和氚峰(1MeV)之间的一个宽峰.结果分析表明,该峰是由固体靶内超出离子射程几倍至十几倍处发生的D-D聚变反应出射的质予所形成.同时还发现独立氘核产生的这种深部D-D核聚变的反应率高于速度相同的氘团簇离了中的氘核的反应率.
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文献信息
篇名 低能氘离子束轰击固体靶产生的远程D-D核聚变现象研究
来源期刊 核技术 学科 物理学
关键词 低能氘离子束 固体氘自吸收靶 远程D-D核聚变
年,卷(期) 2000,(9) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 614-620
页数 7页 分类号 O571.44
字数 3657字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-3219.2000.09.005
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王铁山 中国科学院近代物理研究所 6 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
低能氘离子束
固体氘自吸收靶
远程D-D核聚变
研究起点
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期刊影响力
核技术
月刊
0253-3219
31-1342/TL
大16开
上海市800-204信箱
4-243
1978
chi
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