低能离子束轰击碲镉汞制备pn结电学特性的研究

• 作者: 周咏东 方家熊 李向阳 赵军 陆慧庆
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子束 碲镉汞 pn结
• 年，卷（期）: 1998,（1）
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 1597字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.1998.01.004

摘要

用低能离子束轰击工艺制备了3～5μm及8～10μm碲镉汞pn结,研究了它们的电流-电压及电容-电压特性,发现该pn结为缓变结,与通常认为的关于低能离子束轰击p型碲镉汞造成表面转型的机制主要是汞扩散的假说相符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方家熊	中国科学院上海技术物理研究所	39	184	7.0	11.0
5	李向阳	山东大学光学系	7	19	3.0	4.0
6	赵军	中国科学院上海技术物理研究所	100	1883	24.0	40.0
10	陆慧庆	中国科学院上海技术物理研究所	3	6	2.0	2.0
14	周咏东	中国科学院上海技术物理研究所	1	3	1.0	1.0