扫描透射电镜对GaInAsSb/GaSb异质结截面的研究

• 作者: F.Schulze-Kraasch 周天明 张子旸 张宝林 李树玮 蒋红 金亿鑫
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: GaInAsSb 位错 层错 STEM
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 505-507
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.26
• 字数: 2246字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2000.05.022

摘要

报道了用STEM(扫描透射电子显微镜)对GaIn-AsSb/GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果.STEM图像表明,在四元合金GaInAsSb与衬底GaSb的晶格常数不相同时,将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错,这些缺陷是对应力的一种释放形式,包括60°位错、90°位错和堆垛层错,并且发现只有90°位错才会在外延层表面产生脊.