化合物半导体材料的激光消融微区质谱特性的实验研究

• 作者: 彭慰先 蒋占魁
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 激光消融 质谱
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 激光物理与激光化学
• 页码范围: 411-414
• 页数: 4页
• 分类号: TN2
• 字数: 1952字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2000.05.006

摘要

采用一台Q开关Nd:YAG脉冲激光器的四倍频输出(266 nm)作为消融激光,用反射型飞行时间质谱仪分析探测由激光与靶相互作用产生的离子,从得到的质量谱研究激光与半导体材料的相互作用.报告了这种相互作用的阈值特性、离子产额、质量分辨率等与激光通量密度的关系,给出了典型AlGaAs和InP材料的激光消融微区质谱.InP的离子质谱表明非金属元素磷的二聚物离子P2的离子峰总是占优势的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋占魁	吉林大学物理系	9	20	1.0	4.0
2	彭慰先	吉林大学物理系	8	44	3.0	6.0