纳米V2O5的晶体缺陷与导电性能研究

• 作者: 俞文海 刘皖育 潘登余 王大志
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 溶胶-凝胶法 纳米V2O5 晶体缺陷 电导率
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究现开发
• 页码范围: 401-402,405
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174.758.11
• 字数: 2002字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2000.04.023

摘要

用溶胶-凝胶法制备纳米V2O5粉体,利用LR、ESR结构分析手段研究晶体缺陷,并用阻抗谱研究它的导电性能.阻抗谱表明,在较低退火温度下得到的纳米V2O5粉体(平均粒径为5.0nm)表现出超常的导电性能,其电导率高于其它样品二个数量级.IR、ESR分析指出,该样品中V2O5结构发生严重畸变,引起氧空位浓度增加,并认为是导致良好导电性能之主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王大志	中国科技大学材料科学与工程系	5	152	5.0	5.0
2	潘登余	安徽机电学院基础部	1	7	1.0	1.0
3	刘皖育	中国科技大学材料科学与工程系	1	7	1.0	1.0
4	俞文海	中国科技大学材料科学与工程系	1	7	1.0	1.0