国产空间实用太阳电池抗质子辐射性能研究

• 作者: 司戈丽 张新辉 王荣 翟佐绪 郭增良
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: Si太阳电池 GaAs/Ge太阳电池 质子辐照
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 507-510
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4|V442
• 字数: 1889字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2001.04.016

摘要

研究了国产卫星用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量1×109～5×1013 cm-2的变化.实验表明,2种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势.背场Si太阳电池性能参数短路电流Isc和最大输出功率Pmax衰降变化快,辐照注量为2×1010 cm-2时,Pmax就已衰降为原值的75%;而GaAs/Ge太阳电池对应相同的衰降辐照注量达8×1011 cm-2,且Isc和Pmax衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近3×1012 cm-2时才迅速下降.背场Si太阳电池性能衰降与质子辐照引入的Ev+0.14eV和Ev+0.43eV深能级有关,而GaAs/Ge太阳电池性能衰降与辐照产生的Ec-0.41eV深能级有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王荣	北京师范大学低能核物理研究所	34	284	10.0	15.0
2	郭增良		4	46	3.0	4.0
3	张新辉		3	44	3.0	3.0
4	翟佐绪		2	21	2.0	2.0
5	司戈丽	北京师范大学低能核物理研究所	3	23	2.0	3.0