脑缺血再灌流后脑组织一氧化氮水平变化及其与细胞凋亡的关系

• 作者: 孙运娟 孙运芝 王纪佐
• 来源期刊: 中国神经免疫学和神经病学杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 脑缺血 一氧化氮 氧化应激 细胞凋亡
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 26-28
• 页数: 3页
• 分类号: R743.31
• 字数: 2365字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-2963.2001.01.009

摘要

目的 探讨一氧化氮（NO）在局灶性脑缺血再灌流损伤中的作用。方法 采用大鼠线栓法大脑中动脉闭塞（MCAO）模型，观察脑缺血2h再灌流后2、6、18、24及48hNO含量动态变化，同时应用流式细胞仪检测DNA断裂百分率，并分析二者之间的关系。结果 脑缺血2h再灌流后6hNO水平开始升高，随再灌流时间的延长，其升高更明显；再灌流18h后DNA断裂百分率明显升高，其变化趋势与NO相似。结论 上述结果提示，脑缺血再灌流后过量产生的NO与再灌流后神经细胞凋亡的发生有关。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙运娟	天津医科大学附属第二医院神经内科	2	53	2.0	2.0
2	王纪佐	天津医科大学附属第二医院神经内科	102	891	15.0	26.0