一种专用过滤焊盘工艺研究

• 作者: 吴家祥 梁卿才
• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 方块电阻 结深 杂质深度 过渡焊盘 硅
• 年，卷（期）: jcdltx_2001,（1）
• 页码范围: 16-18
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.93

摘要

根据硅中方块电阻与结深、杂质浓度的关系，优化设计多晶硅制作过渡焊盘工艺。多晶硅中杂质扩散结深由原来示知不定量变为可知定量；杂质浓度分布也由原来非均匀分布优化为均匀分布，提高可靠性。将多晶硅液态源掺杂改为杂质总量相对稳定的离子汪入工艺，提高了均匀性和重复性。根据注入剂量与方法电阻关系图，选择合适注入剂量，实现指化生产。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁卿才		2	0	0.0	0.0
2	吴家祥		1	0	0.0	0.0