电压依赖性离子通道与癫痫

• 作者: 漆松涛 黄理金
• 来源期刊: 国外医学（生理、病理科学与临床分册）
• 学科: 医学
• 关键词: 癫痫 离子通道 基因
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 233-235
• 页数: 3页
• 分类号: R742.1
• 字数: 3165字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2588.2001.03.029

摘要

电压依赖性离子通道病变是发育中及成熟大脑癫痫发作的病因.两种人类癫痫综合征良性家族性惊厥(BNFC)和高热惊厥(GEFS+)都与离子通道的病变有关,前者与钾通道病变有关,后者与钠通道病变有关.一些新发现的癫痫综合征的染色体定位也是在富含离子通道基因序列的区域.基因突变小鼠的研究表明,由于不同离子通道对神经元兴奋的作用不同,不同通道的突变可导致不同癫痫类型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	漆松涛	第一军医大学南方医院神经外科	130	767	14.0	20.0
2	黄理金	第一军医大学南方医院神经外科	12	68	5.0	7.0