HL-lM装置杂质粒子输运与约束特性

• 作者: 冯兴亚 李可华 王全明 王恩耀
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 杂质VUV辐射 激光吹气 低杂波电流驱动
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 分类号: O539
• 字数: 2273字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2001.01.005

摘要

在HL-lM装置上利用激光吹气技术，在等离子体边缘瞬态注入少量Al杂质粒子，通过对真空紫外光谱和软X射线区的杂质辐射测量，分别研究了欧姆等离子体和低杂波电流驱动等离子体两种情况下，Al杂质粒子输运与约束特性。结果表明：在欧姆等离子体和低杂波电流驱动等离子体两种情况下，等离子体中心区，在没有MHD锯齿震荡和有MHD锯齿震荡非锯齿破裂期间，杂质粒子输运基本上受新经典规律支配；在有MHD锯齿震荡锯齿破裂期间，杂质粒子输运受MHD不稳定性支配，但其时间很短(通常小于300μs)，所以在这种情况下，杂质粒子输运的平均效应比新经典值稍大。而约束区杂质粒子输运则比新经典的值大很多，是反常的。在一定条件下低混杂波电流驱动可以改善等离子体粒子约束。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王恩耀		30	56	5.0	6.0
2	冯兴亚		3	4	1.0	1.0
3	王全明		6	5	1.0	1.0
4	李可华		3	12	1.0	3.0