选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器

• 作者: 刘国利 周帆 张佰君 张静媛 朱洪亮 汪孝杰 王圩 许国阳 陈娓兮
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 选区外延 LP-MOVPE DFB激光器 电吸收调制器 脊型波导 单片集成
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 激光器件
• 页码范围: 321-324
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2204字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2001.04.010

摘要

报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为26 mA，最大光功率可达9 mW，消光比可达16 dB。减小端面的光反馈后，从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化，调制器部分的电容为1.5 pF，初步筛选结果显示阈值、隔离电阻、消光比基本没有变化，可应用在2.5 Gb/s的长途干线光纤传输系统上。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王圩	国家光电子工艺中心中国科学院半导体研究所	3	6	2.0	2.0
2	朱洪亮	国家光电子工艺中心中国科学院半导体研究所	2	4	1.0	2.0
3	刘国利	国家光电子工艺中心中国科学院半导体研究所	1	3	1.0	1.0
4	许国阳	国家光电子工艺中心中国科学院半导体研究所	1	3	1.0	1.0
5	陈娓兮	国家光电子工艺中心中国科学院半导体研究所	1	3	1.0	1.0
6	张佰君	国家光电子工艺中心中国科学院半导体研究所	1	3	1.0	1.0
7	周帆	国家光电子工艺中心中国科学院半导体研究所	1	3	1.0	1.0
8	张静媛	国家光电子工艺中心中国科学院半导体研究所	1	3	1.0	1.0
9	汪孝杰	国家光电子工艺中心中国科学院半导体研究所	1	3	1.0	1.0