磁场下MgB2的电导涨落效应

• 作者: 曹烈兆 李世燕 李慧玲 樊荣 罗习刚 莫维勤 阮可青 陈仙辉
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 269-274
• 页数: 6页
• 分类号: O51
• 字数: 2627字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2001.04.006

摘要

测量了磁场下MgB2的电阻与温度的依赖关系.测量结果表明:磁场下MgB2的临界涨落电导Δσ(H)符合由Ullah和Dorsey提出的关于临界涨落的三维标度方程.MgB2中较显著的临界涨落效应起源于其较高的超导转变温度和层状结构.由临界涨落电导符合三维的标度方程而不是二维,可推知MgB2中存在较强的层间耦合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹烈兆		24	38	4.0	5.0
2	阮可青		17	16	1.0	3.0
3	李慧玲		5	28	2.0	5.0
4	李世燕		7	16	2.0	4.0
5	莫维勤		1	11	1.0	1.0
6	樊荣		2	11	1.0	2.0
7	罗习刚		2	14	2.0	2.0
8	陈仙辉		15	17	2.0	4.0