高聚物P(EO)n-CuBr2薄膜在流体静高压下离子电导率和介电常数的提高(Ⅱ)--添加增塑剂方法的应用

• 作者: 戴卫平 苏日方 苏骁
• 来源期刊: 高压物理学报
• 关键词: 聚乙烯氧化物薄膜 静水压 离子电导率 介电常数 增塑剂
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 161-168
• 页数: 8页
• 分类号: O521+.21|O631.2+3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5773.2001.03.001

摘要

选用分子量为500万的聚氧化乙烯和无水溴化铜,通过混溶蒸发法制备出一系列高聚物P(EO)n-CuBr2(n=4,8,12,16,24)薄膜,并在0.1～2443MPa范围不同的静水压下详细测量了它们的相对介电常数.分别探讨了增塑剂(C4H6O3)含量对室温常压下离子电导率和介电常数的影响,及其对高压下离子电导率和介电常数的影响.实验结果表明:P(EO)16-CuBr2薄膜在添加介电常数较高和本体粘度较低的增塑剂C4H6O3后,当其相对浓度nPC/ntotal＝20%时,不仅使该薄膜的室温常压离子电导率明显提高6.8倍,而且使其在高压力下的离子电导率提高1(0.1～100MPa)至2(350～800MPa)个数量级,非常有利于在高压环境中应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴卫平	石油大学北京基础科学系	32	119	6.0	10.0
2	苏日方	石油大学北京基础科学系	3	10	2.0	3.0
3	苏骁	石油大学北京基础科学系	2	3	1.0	1.0