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摘要:
受EMP照射的微机系统,当EMP场强达到一定数值时,其设备接口电路上即产生过电压或过电流,从而使设备受到干扰或损伤.本文设计了一种典型的微机并行接口单片机电路实验模型,介绍了该接口电路电磁脉冲耦合电压和耦合电流的测量方法,并对测得的数据进行了分析,得到了这类典型接口电路受到瞬时干扰和永久性损伤的电磁脉冲场强阈值.
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文献信息
篇名 电磁脉冲对微机接口电路的耦合实验研究
来源期刊 安全与电磁兼容 学科 工学
关键词 电磁脉冲 微机 接口电路 耦合 损伤
年,卷(期) 2001,(3) 所属期刊栏目 专题研究
研究方向 页码范围 12-16
页数 5页 分类号 TM86
字数 2644字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9776.2001.03.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 潘峰 中国人民解放军理工大学工程兵工程学院 19 65 5.0 7.0
2 余同彬 中国人民解放军理工大学工程兵工程学院 1 8 1.0 1.0
3 李炎新 中国人民解放军理工大学工程兵工程学院 1 8 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
电磁脉冲
微机
接口电路
耦合
损伤
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
安全与电磁兼容
双月刊
1005-9776
11-3452/TM
大16开
北京市亦庄经济技术开发区同济南路8号
82-295
1989
chi
出版文献量(篇)
2498
总下载数(次)
14
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