1.3μm高速PIN光电二极管

• 作者: 陶启林
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 光电二极管 微波封装 GaInAs/InP
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 271-274
• 页数: 4页
• 分类号: TN364
• 字数: 3646字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2001.04.013

摘要

综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度,优化设计了GaInAs/InP PIN光电二极管的结构参数,解决了长波长高速光电探测器制作中的关键技术,如高纯、超薄GaInAs/InP材料的液相外延生长、有源区的浅结扩散技术、为降低器件漏电采用的双层钝化膜技术和小光敏面的光耦合技术等,并采用同轴封装结构实现了高速光电探测器的高频封装.研制的GaInAs/InP PIN高速长波长光电探测器的3dB带宽达到20GHz,响应度为0.7A/W,暗电流小于5nA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陶启林		1	29	1.0	1.0