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摘要:
二氧化锡薄膜应用广泛。本文讨论掺锑和掺氟的二氧化锡透明导电薄膜的最佳掺杂含量问题,建立模型并给出理论表达式,得出的最佳掺杂含量值与实验数据相符。
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文献信息
篇名 二氧化锡薄膜的最佳掺杂含量理论表达式
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 二氧化锡 透明导电薄膜 最佳掺杂含量
年,卷(期) 2001,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 132-135
页数 4页 分类号 TN304.2
字数 2789字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2001.02.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙以材 河北工业大学应用物理系 117 1247 18.0 31.0
2 范志新 河北工业大学应用物理系 80 693 13.0 23.0
3 陈玖琳 河北工业大学应用物理系 5 172 3.0 5.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
二氧化锡
透明导电薄膜
最佳掺杂含量
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
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21
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27643
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