恒温电容瞬态时间乘积谱

• 作者: 乔永平 傅济时 孙允希 张伯蕊 朱美栋 武兰青 陈开茅 陈源
• 来源期刊: 数据采集与处理
• 学科: 工学
• 关键词: 电容瞬态 时间 乘积谱 深能级
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 微弱信号检测理论和方法
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TM834.2|O482.4
• 字数: 3084字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-9037.2001.z1.011

摘要

传统的深能级电容瞬态谱(DLTS)是典型的微弱信号技术,它具有极高的灵敏度,能测量比基体原子浓度小9～10个数量级的深能级杂质和缺陷.然而对于宽禁带半导体(如固体C60(C70),GaN等)深能级的测量,这种测量方法将面临高温测量的困难.本文提出的电容瞬态时间乘积谱(ICTTS),可以在室温附近测量很深的深能级,并达到和传统DLTS相近的灵敏度.文中用这一方法研究了Ti/C70固体/p-GaAs结构的深能级,结果发现C70固体膜中存在两个空穴陷阱,H1和H2,它们的能级分别为Ev+1.037 eV和Ev+0.856 eV,密度分别为8.6×1011/cm2和6.5×1010/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伯蕊	北京大学物理系	11	70	4.0	8.0
2	乔永平	北京大学物理系	8	27	3.0	5.0
3	陈源	北京大学物理系	12	78	4.0	8.0
4	孙允希	北京大学物理系	9	4	1.0	1.0
5	陈开茅	北京大学物理系	6	3	1.0	1.0
6	武兰青	北京大学物理系	5	3	1.0	1.0
7	朱美栋	北京大学物理系	2	0	0.0	0.0
8	傅济时	北京大学物理系	2	13	1.0	2.0