超薄Ti膜介电函数的尺寸效应

• 作者: 孙超 宫骏 杜昊 闻立时 黄荣芳
• 来源期刊: 自然科学进展
• 学科: 工学
• 关键词: 超薄Ti膜 介电函数 尺寸效应
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1099-1104
• 页数: 6页
• 分类号: TP31
• 字数: 2832字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-008X.2001.10.015

摘要

超薄Ti膜介电函数与薄膜厚度及外加电场频率的关系表明:超薄Ti膜的介电函数具有尺寸效应;超薄Tj膜介电函数实部随外加电场频率的增大而减小.对比超薄Ti膜直流电导率的实验结果,超薄薄膜形成过程中结构特征变化是导致介电函数尺寸效应的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙超	中国科学院金属研究所	126	1708	23.0	34.0
2	宫骏	中国科学院金属研究所	52	464	12.0	20.0
3	黄荣芳	中国科学院金属研究所	37	704	16.0	25.0
4	闻立时	中国科学院金属研究所	117	1859	24.0	36.0
5	杜昊	中国科学院金属研究所	24	169	8.0	11.0