离子束外延生长(Ga,Mn,As) 化合物

• 作者: 何宏家 刘志凯 廖梅勇 杨君玲 杨少延 柴春林 陈诺夫
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: (Ga,Mn,As) 化合物 GaAs 单晶 质量分析的低能离子束
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 289-293
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.7|TN304.054
• 字数: 4078字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2001.04.012

摘要

利用质量分离的低能双离子束外延技术,得到了(Ga,Mn,As) 化合物.衬底温度 523K 条件下生长的样品的俄歇电子谱表明,一部分锰淀积在 GaAs 的表面形成一层厚度约为 30 nm 的外延层,另一部分锰离子成功注入到 GaAs 基底里,注入深度约为 160 nm.衬底温度为 523K 时获得了 Ga5.2Mn 相,衬底温度为 673K 时获得了 Ga5.2Mn、Ga5Mn8 和 Mn3Ga 相.在 1113K 条件下对 673K 生长的样品进行退火,退火后样品中原有的 Mn3Ga 消失,Ga5Mn8 峰减弱趋于消失,Ga5.2Mn 仍然存在而且结晶更好,并出现 Mn2As 新相.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘志凯	中国科学院半导体研究所	17	43	4.0	5.0
2	柴春林	中国科学院半导体研究所	14	46	4.0	6.0
3	陈诺夫	中国科学院半导体研究所	33	154	6.0	11.0
4	杨君玲	中国科学院半导体研究所	3	7	1.0	2.0
5	廖梅勇	中国科学院半导体研究所	7	15	2.0	3.0
6	杨少延	中国科学院半导体研究所	17	35	3.0	5.0
7	何宏家	中国科学院半导体研究所	4	18	1.0	4.0