压电位移材料电场E3和应变S1的关系

• 作者: 孙清池 左孝杰 徐庭献 王裕斌
• 来源期刊: 兵器材料科学与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 压电应变系数D31 退极化电场Ed 矫顽电场Ec 饱和电场Es 电滞回线
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 7-10
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 字数: 2748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-244X.2001.03.002

摘要

研究了软性铌锑-锆钛酸铝Pb(Sb1/2 Nb1/2)ZrTiO3(简称SN)系及硬性锑锰-锆钛酸铅Pb(Mn1/3 Sb2/3)ZrTiO3(简称MS)系压电陶瓷电场E3和应变S1的关系.压电方程为S1=d31 E3,在弱电场下为线性关系.随着电场增加,压电应变系数d31变大,从而不再是常数.当电场E3增大到某一值时d31有极大值,我们称此电场为饱和电场Es.软性SN三元系压电陶瓷的退极化电场Ed为12.7kV/cm,小于它的矫顽场Ec(13.6kV/cm)以及d31极大值(-457pC/N)时的饱和电场Es(14kV/cm).而硬性MS三元系压电陶瓷的退极化电场Ed和d31极大值(-202pC/N)时的饱和电场Es相等,均为24kV/cm,大于它的矫顽电场Ec(18.6kV/cm).软性SN三元系压电陶瓷在较低的电场下就可产生很大的应变.而硬性MS三元系压电陶瓷可以施加很大的反向电场.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙清池	天津大学材料学院	51	519	13.0	20.0
2	徐庭献	天津大学材料学院	5	17	3.0	4.0
3	左孝杰	天津大学材料学院	3	29	2.0	3.0
4	王裕斌	天津大学材料学院	2	20	2.0	2.0