Sb2O3掺杂对ZnO压敏陶瓷晶界特性和电性能的影响

• 作者: 周东祥 张丛春 龚树萍
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌压敏陶瓷 氧化锑 电性能 晶界
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 602-605
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.93
• 字数: 2889字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2001.06.020

摘要

制备了掺有Sb2O3不同掺杂量的ZnO压敏陶瓷样品采用扫描电镜对样品进行显微结构分析,研究了mb2O3掺杂浓度对ZnO压敏电阻显微结构和性能的影响测量了样品的电性能.由样品C V特性的测量计算出晶界参数,并由此讨论了陶瓷电性能与晶界特性的相关性研究发现.在ZnO压敏陶瓷样品中掺杂适量的Sb2O3可以提高ZnO压敏陶瓷样品的非线性性能,但当Sb2O3的摩尔分数超过0 088%时,电性能反而劣化,这是因为Sb2O3掺杂浓度不同会引起晶界势垒高度、施主浓度及陷阱态密度的变化,因此Sb2O3掺杂量要控制在适当的范围内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚树萍	华中理工大学电子科学与技术系	23	390	11.0	19.0
2	张丛春	华中理工大学电子科学与技术系	2	94	2.0	2.0
3	周东祥	华中理工大学电子科学与技术系	33	486	13.0	21.0