一个改进的用于铁电存储器设计的铁电电容宏模型

• 作者: 任天令 刘理天 张武全 朱钧 李春晓 陈宏毅
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电存储器 铁电电容 宏模型
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 1135-1137
• 页数: 3页
• 分类号: TN384|TN402
• 字数: 823字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.08.036

摘要

从描述铁电电容的P-V滞回特性出发,本文在ZSTT宏模型的基础上提出了一个改进的铁电电容宏模型,并成功利用此模型对铁电存储器(FeRAM)进行了电路优化和电路模拟.最后将试图对此模型做进一步的推广,以模拟铁电存储器在另一种新读写过程中的操作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子所	230	1519	19.0	23.0
2	任天令	清华大学微电子所	87	600	13.0	19.0
3	朱钧	清华大学微电子所	43	464	12.0	20.0
4	张武全	清华大学微电子所	4	42	4.0	4.0
5	李春晓	清华大学微电子所	5	57	3.0	5.0
6	陈宏毅	清华大学微电子所	1	9	1.0	1.0