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摘要:
讨论了无序结构的纳米SiC多晶膜中存在的喇曼受激辐射现象。研究结果表明, 在连续波激发时,喇曼受激散具有空间均匀辐射且阈值低的特点。纳米晶无序结构强烈的散射作用形成的扩散-反馈机制和纳米晶大的喇曼散射截面产生了低阈值受激散射。
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文献信息
篇名 纳米SiC多晶膜的受激喇曼散射研究
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 纳米结构 碳化硅膜 喇曼受激散射 无序系统
年,卷(期) 2001,(3) 所属期刊栏目 研究论文与技术报告
研究方向 页码范围 220-223
页数 4页 分类号 TN304.24
字数 2590字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.2001.03.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈涛 华中科技大学电子科学与技术系 175 1655 21.0 35.0
2 徐重阳 华中科技大学电子科学与技术系 85 592 12.0 19.0
3 许辉 湖北工学院电气工程与计算机科学系 9 72 4.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
纳米结构
碳化硅膜
喇曼受激散射
无序系统
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
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