N+离子束注入庆大霉素产生菌诱变效应研究

• 作者: 张铁成 李彦 裴鸿娇 赵洪英
• 来源期刊: 天津理工学院学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子注入 质量沉积 诱变育种 存活率曲线
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: O462.5
• 字数: 1843字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-095X.2001.01.005

摘要

用30?kV，剂量1.0×1015ions/cm2～5.0×1016ions/cm2的N +离子注入庆大霉素产生菌成熟孢子后，作出菌种的存活率曲线，为典型的“马鞍型”剂量－效应曲线.围绕存活率曲线的峰值区域选取最佳注入剂量对菌种进行诱变育种，经筛选得到了高产抗突变菌种，摇瓶发酵表明其产抗能力可提高27.39％,成果显著．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵洪英	天津理工学院材料物理所	9	75	3.0	8.0
2	李彦	天津师范大学物理系	17	85	4.0	8.0
3	裴鸿娇		1	54	1.0	1.0