低强度半导体激光疗法对认知障碍病人脑功率和P3 PL的影响

• 作者: 石秉霞 金丽英
• 来源期刊: 青岛大学医学院学报
• 学科: 医学
• 关键词: 激光 认知障碍 脑电描记术
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 125-126
• 页数: 2页
• 分类号: R454.2
• 字数: 1652字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-4488.2001.02.017

摘要

①目的观察低强度半导体激光(LISCL)疗法对认知障碍病人脑功率和事件相关电位P300峰潜伏期(P3PL)的影响.②方法应用LISCL对60例认知障碍病人进行治疗,分别于治疗前、治疗5次和10次后采用CFM-8便携式脑电监测仪和神经电检仪检测脑功率和P3PL的变化.③结果治疗前脑功率表现为额叶、颞叶及枕叶脑电慢波成分较多,异常的高功率含量区(δ,θ)值分别于治疗5次和10次后逐渐减少,额叶、颞叶底部及枕叶慢波指数降低,而α,β频段减少的功率含量值逐渐增高,表现为(δ+θ)/(α+β)减小,与治疗前比较差异有显著意义(F=3.05～4.89,q=2.83～6.02,P＜0.05,0.01);治疗5次和10次后的P3PL与治疗前相比明显降低(F=5.03,q=6.33,6.20,P＜0.01).④结论半导体激光疗法可以改善认知障碍病人的脑功能和认知功能状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金丽英	青岛大学医学院脑血管病研究所	52	215	8.0	12.0
2	石秉霞	青岛大学医学院脑血管病研究所	17	133	7.0	11.0