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摘要:
介绍了PIXE(质子激发X射线发射)分析技术分析硅晶片表面杂质元素的探测灵敏度和最低可探测限.用此分析技术,对在几个注入机上进行的注氧硅晶片的污染情况进行了测定.发现在有的注入机上注氧时带进了Cr, Mn, Fe, Cu等污染元素.结果表明,PIXE分析技术具有高灵敏、非破坏性等优点,十分适合在这一领域的研究中应用.
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文献信息
篇名 用质子激发X射线发射分析技术测量晶片表面的污染物
来源期刊 北京师范大学学报(自然科学版) 学科 物理学
关键词 PIXE分析 晶片 污染
年,卷(期) 2001,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 612-614
页数 3页 分类号 O434.19
字数 1392字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0476-0301.2001.05.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周宏余 北京师范大学低能核物理研究所 18 70 4.0 8.0
2 汪新福 北京师范大学低能核物理研究所 7 37 3.0 6.0
3 朱光华 北京师范大学低能核物理研究所 19 216 6.0 14.0
4 卢殿通 北京师范大学低能核物理研究所 7 15 2.0 3.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
PIXE分析
晶片
污染
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
北京师范大学学报(自然科学版)
双月刊
0476-0301
11-1991/N
大16开
北京新外大街19号
82-406
1956
chi
出版文献量(篇)
3342
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10
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24959
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