85MeV 19F离子辐照GaP的正电子湮没研究

• 作者: 徐勇军 朱升云 王荣 黄龙
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: GaP 19F离子 辐照效应 正电子湮没
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 274-276
• 页数: 3页
• 分类号: O472
• 字数: 1441字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2001.04.007

摘要

用正电子湮没寿命技术研究了2.4×1015/cm2和2.2×1016/cm285MeV19F离子辐照GaP的辐照效应。结果表明，辐照在GaP中产生浓度较高的单空位，且随辐照剂量增大浓度增加。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐勇军	中国原子能科学研究院核物理研究所	16	25	3.0	4.0
2	朱升云	中国原子能科学研究院核物理研究所	17	44	4.0	5.0
3	王荣	中国原子能科学研究院核物理研究所	6	10	2.0	3.0
4	黄龙	中国原子能科学研究院核物理研究所	2	2	1.0	1.0