【正】 Y2001-62694-43 0116606用I-V和低频噪声测量法研究AlGaInP发光二极管的递降特性=Degradation charactelization of AlGalnPLEDs using I-V and low frequency noise measurements[会,英]/Abdel Naby,M.//1999 IEEE Eleventh Inter-national Conference on Microelectronics.—43~46(K)本文研究了热应力和施加一定电流对AlGaInP发光二圾管(LED)的影响,LED在每次加热后都在室温下测量其I-V特性和低频噪声(LFN),结果表明LED的递降机理与施加的工作电流有很大关系,LFN测量还表明,与正常的I-V测量相比,噪声对很小的变化更敏感。参6