四英寸四硼酸锂压电晶体的生长研究

• 作者: 华王祥 徐家跃 范世马岂
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 压电晶体 四硼酸锂 坩埚下降法 晶体生长
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 857-861
• 页数: 5页
• 分类号: O738
• 字数: 2568字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.036

摘要

以直径3英寸Li2B4O7晶体为籽晶,采用改进型坩埚下降法在Pt坩埚中生长了直径105mm、长度120mm、无宏观缺陷的高质量Li2B4O7晶体.生长速率＜0.3mm/h,固液界面附近的温度梯度约为30°C/cm.探讨了开裂、孪晶、包裹体等缺陷的形成和消除办法,测试了该晶体的性能.介电常数ε11=9.33,压电系数d33=0.94C/m2,机电偶合系数к33=0.42.高机电偶合系数和低介电常数表明该晶体在高频声表面波器件应用方面具有很大的潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	华王祥	中国科学院上海硅酸盐研究所	3	28	3.0	3.0
2	徐家跃	中国科学院上海硅酸盐研究所	47	396	12.0	17.0
3	范世马岂	中国科学院上海硅酸盐研究所	1	10	1.0	1.0