LiSrAlF6晶体Cr3+掺杂中心电子结构的计算

• 作者: 于俊华 苏丽萍 赵卫疆
• 来源期刊: 吉林大学学报(理学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子结构 DVM方法 镶嵌势
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 186-189
• 页数: 4页
• 分类号: O561.1
• 字数: 1954字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-5489.2002.02.015

摘要

采用离散变分方法(DVM)计算LiSrAlF6晶体Cr3+掺杂中心电子结构, 主要研究镶嵌势、团簇大小、基组类型对计算结果的影响, 给出使计算结果趋于收敛的基本条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵卫疆	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	31	233	8.0	13.0
2	于俊华	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	24	168	6.0	12.0
3	苏丽萍	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	11	62	6.0	7.0