铁电存储器研究进展

• 作者: 于军 周志刚 王华 王耘波 谢基凡 郭冬云
• 来源期刊: 信息记录材料
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电存储器 铁电薄膜 FRAM FFET
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 31-35
• 页数: 5页
• 分类号: TP333
• 字数: 3479字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-5624.2002.01.009

摘要

铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非易失性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器.介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军	华中科技大学电子科学与技术系	103	537	11.0	16.0
2	王华	华中科技大学电子科学与技术系	76	708	14.0	23.0
3	周志刚	华中科技大学电子科学与技术系	17	124	6.0	11.0
4	王耘波	华中科技大学电子科学与技术系	68	398	10.0	16.0
5	谢基凡	华中科技大学电子科学与技术系	10	77	5.0	8.0
6	郭冬云	华中科技大学电子科学与技术系	13	163	6.0	12.0