MOCVD生长Ⅲ族氮化物镓源的选择

• 作者: 叶志镇 赵炳辉 顾星
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD 镓源 Ⅲ族氮化物 GaN TMGa TEGa
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 109-113
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3088字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.02.012

摘要

MOCVD是生长Ⅲ族氮化物材料最成功的技术之一.镓源的选择是该技术中重要的一环.详细比较了三甲基镓和三乙基镓两种主要的镓源对生长样品在微结构、表面形态、电学性质和光学性质方面的不同影响,并对造成不同影响的因素提出了自己的见解.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	顾星	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	26	3.0	4.0