场发射阵列发射性能下降机制分析

• 作者: 李德杰 杜秉初 袁璟
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 场发射阵列(FEA) 氧化 溅射 离子注入
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 微机械加工技术
• 页码范围: 70-74
• 页数: 5页
• 分类号: TN102
• 字数: 3275字
• 语种: 中文

摘要

场发射阵列(FEA)发射性能的下降是场发射显示(FED)研究中普遍遇到的一个问题,研究FEA发射性能下降的机制对于推进FED进展具有重要意义.阴极氧化、溅射损伤和离子注入是目前提出的三种解释.对这三种解释进行了进一步的分析和讨论,认为目前的实验工作还不足以充分说明哪种机制在FEA发射性能下降中占据主导地位,并提出了进一步的实验研究的方向和内容.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁璟	清华大学电子工程系	3	19	2.0	3.0
2	李德杰	清华大学电子工程系	34	152	8.0	10.0
3	杜秉初	清华大学电子工程系	8	42	4.0	6.0