具有非磁性中间层的RE-TM双层垂直磁化膜耦合研究

• 作者: 廖红伟 彭烈涛 李震 林更琪 王可 王浩敏
• 来源期刊: 信息记录材料
• 学科: 工学
• 关键词: 交换耦合 非磁性中间层 磁光薄膜
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 10-12,21
• 页数: 4页
• 分类号: TP333
• 字数: 1351字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-5624.2002.02.002

摘要

研究了光调制直接重写磁光记录介质中存储层(TbFeCo)和写入层(DyFeCo)中加入TiN非磁性层后的耦合性能.当TiN层为3～21A,存储层和写入层层间交换耦合能密度为0.2～0.3erg/cm2,如果能精确控制TiN的厚度,就可以控制层间耦合能,从而改善MO薄膜的读写特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李震	华中科技大学电子科学与技术系	139	769	14.0	21.0
2	王浩敏	华中科技大学电子科学与技术系	10	48	3.0	6.0
3	林更琪	华中科技大学电子科学与技术系	26	85	4.0	7.0
4	廖红伟	华中科技大学电子科学与技术系	10	91	5.0	9.0
5	彭烈涛	华中科技大学电子科学与技术系	2	12	1.0	2.0
6	王可	华中科技大学电子科学与技术系	10	42	4.0	6.0