质子辐照空间级硅橡胶的正电子淹没寿命谱研究

• 作者: 何士禹 张丽新 杨世勤
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 正电子淹没寿命谱 自由体积 硅橡胶 质子辐照
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 粒子束及加速器技术
• 页码范围: 629-632
• 页数: 4页
• 分类号: TL8
• 字数: 2863字
• 语种: 中文

摘要

用正电子淹没寿命谱方法(PALS)研究了质子辐照对空间级硅橡胶KH-L-Y微观结构的影响.试验结果表明,PALS谱所揭示的最长寿命成分的τ3,I3及自由体积分数Vf随辐照剂量的增加开始明显下降;而当辐照剂量大于1015cm-2后,随剂量的增加平缓上升.辐照剂量小于1015cm-2时,质子辐照使硅橡胶自由体积减小,分子链间堆砌紧密;辐照剂量大于1015cm-2时,质子辐照使硅橡胶自由体积增大.交联密度及DMA测试结果同样表明,质子辐照在剂量较小时硅橡胶的交联密度及玻璃化转变温度增加,辐照以交联效应为主;而剂量较大时辐照降解占优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张丽新	哈尔滨工业大学空间材料与环境工程实验室	22	243	9.0	14.0
2	杨世勤	哈尔滨工业大学空间材料与环境工程实验室	2	25	2.0	2.0
3	何士禹	哈尔滨工业大学空间材料与环境工程实验室	2	25	2.0	2.0