GaP∶N 绿色 LED n2层载流子浓度的优化

• 作者: 杨锡震 薛洪涛 赵普琴
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: GaP∶N LED 结构参数优化 载流子 浓度
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 114-118
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2403字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2002.02.006

摘要

在已报道的p-n2-n1结的势垒分布计算的基础上,对该结构的浓度分布进行了计算.对于正偏情形,计入了n2区产生的压降.考虑到GaP∶N LED发光区主要在p区,注入效率γ=jn/(jn+jp),jn和jp分别为电子电流和空穴电流.p区内的少子扩散可视为向无限远处的一维扩散;n2区内外加正向偏压时电场不能忽略,空穴又被n2-n1 结势垒阻挡(设被完全阻挡),则问题归结为求解有限厚度层中空穴的扩散和复合方程, 由边界条件求出空穴扩散电流.将求出的电子扩散电流和空穴扩散电流代入注入效率的表达式即可求得γ.对在合理的参数值范围内的计算结果进行了讨论.分析表明:当n2值在1015～1016cm-3范围内时,注入效率较高,与实验结果基本相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨锡震	北京师范大学分析测试中心	16	102	4.0	9.0
2	赵普琴	南京化工大学应用物理系	1	0	0.0	0.0
3	薛洪涛	南京化工大学应用物理系	1	0	0.0	0.0