在薄二氧化硅层上纯多晶硅化镍膜的研究

• 作者: 樊路嘉 秦明
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 硅化物 多晶栅耗尽效应 硅化镍膜
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 157-159
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1977字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2002.02.011

摘要

本文研究了在薄二氧化硅层上快速热退火(RTA)形成的多晶硅化镍膜的电特性.对于在薄二氧化硅上的纯硅化镍膜,测试了其到衬底的泄漏电流,发现二氧化硅性质仍类似于多晶硅膜或纯铝膜下二氧化硅性质.采用准静态C-V方法研究了多晶硅栅和纯硅化镍栅的多晶栅耗尽效应(PDE),并探讨了硅化镍栅掺杂浓度和栅氧化层厚度对PDE的影响.结果表明:即使在未被掺杂的纯硅化镍栅膜,也未曾观察到PDE.