1.55μm光发射OEIC技术研究

• 作者: 刘伟吉 刘式墉 徐晓春 敖金平 曾庆明 李献杰 杨树人 柯锡明 梁春广 王全树 王志功 赵方海
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 光发射 光电集成电路 InP
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: OEIC
• 页码范围: 23-25
• 页数: 3页
• 分类号: TN256|TN929.11
• 字数: 1835字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.01.007

摘要

采用一种新的基于InP材料在[0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术,设计并制作了带有1.55μm多量子阱激光器和InP/InGaAs 异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路.在1.5Gbit/s 223-1伪随机码调制下器件有张开的眼图,光输出功率为2dBm,芯片功耗约120mW.