低能离子束轰击对Ti和Ti-N膜组织与性能的影响

• 作者: 吴起白 曾鹏 胡社军 谢光荣 黄拿灿
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 低能离子束 IBAD 真空电弧沉积(VAD) 组织结构 显微硬度
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 175-178
• 页数: 4页
• 分类号: TG174.444
• 字数: 2959字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2002.03.004

摘要

研究了用能量为3.0keV～4.0 keV,束流为80mA～200mA的低能氮和氩离子束对Ti膜进行轰击的作用以及用低能氮离子束对真空电弧沉积Ti-N膜层辅助沉积作用.结果表明:用低能氮离子束对Ti膜进行轰击可以形成Ti2N相,在(204)晶面出现一定的择优取向,并对Ti膜层有一定的强化作用;在低能氮离子束对真空电弧辅助沉积过程中,膜层表现为较高的显微硬度;随低能离子束能量的增大,真空电弧沉积膜层中Ti2N相增多,在(002)晶面出现择优取向,膜层晶粒有粗化的趋势,但显微硬度却增加,这与Hall-Petch公式不符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾鹏		64	572	13.0	20.0
2	胡社军		66	842	14.0	26.0
3	谢光荣		82	729	14.0	23.0
4	黄拿灿		48	688	14.0	24.0
5	吴起白		28	190	9.0	12.0