目的探讨非均匀恒磁场 N、S 极对小鼠学习记忆的影响.方法用避暗实验法和自主活动法,分别观察非均匀恒磁场 N、S 极对学习记忆能力的影响;应用光镜观察非均匀恒磁场 N、S 极治疗后,脑组织神经元细胞形态学改变.结果避暗实验表明磁场 N 极组与空白对照组比较,学习成绩测试错误次数(mistake,M 值)减少,记忆测试 M 值减少,均有显著性差异(P<0.05);磁场 S 极组与空白对照组比较,记忆测试 M 值减少,有显著性差异(P<0.05);小鼠自主活动测定各组均无显著性差异(P>0.05);各组比较脑神经元的结构无明显改变.结论非均匀恒磁场的预防性治疗,可提高小鼠的学习记忆能力,并以 N 极为著.