ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变

• 作者: 梁希侠 班士良 郭子政
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 静压 异质结构 直接禁带-间接禁带转变 压力系数
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 456-460
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2928字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2002.05.008

摘要

用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层Γ、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化.结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比Γ点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因.研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层Γ、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	班士良	内蒙古大学理工学院物理系	58	198	8.0	9.0
2	郭子政	内蒙古大学理工学院物理系	40	143	6.0	10.0
4	梁希侠	内蒙古大学理工学院物理系	31	64	5.0	6.0