等离子体边缘损伤的横向分布测量

• 作者: 张进城 朱志炜 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 边缘损伤 栅漏交迭区 低频电荷泵
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 页码范围: 92-95
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 2804字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2002.01.022

摘要

等离子体刻蚀工艺中,栅边缘直接暴露在等离子体环境中,UV射线和粒子轰击会在栅漏交叠区栅氧化层中和硅二氧化硅界面处产生大量的陷阱,这些陷阱的分布和数量对器件的长期可靠性将会产生重大的影响.采用低频电荷泵技术测量了栅边缘损伤的横向分布,为评估栅边缘损伤提供了一个良好的手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	张进城	西安电子科技大学微电子研究所	52	301	9.0	14.0
3	朱志炜	西安电子科技大学微电子研究所	19	96	5.0	8.0