氮元素对Cr-Si-Al电阻薄膜晶化行为及电性能的影响

• 作者: 吴建生 毛立忠 董显平
• 来源期刊: 中国有色金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电阻薄膜 晶化 氮 电学稳定性
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 668-672
• 页数: 5页
• 分类号: TG132.2
• 字数: 2820字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0609.2002.04.010

摘要

研究了Cr-Si-Al 和 Cr-Si-Al-N两种薄膜的微观结构及电性能. 结果表明: 溅射态非晶Cr-Si-Al和Cr-Si-Al-N薄膜在加热到700 ℃的过程中, 将析出两种晶化相, 即Cr(Al, Si)2和Si微晶相; 氮元素加至Cr-Si-Al非晶膜中, 将阻碍其中晶化相的形核与长大; 与Cr-Si-Al薄膜相比, Cr-Si-Al-N薄膜欲获得较小电阻温度系数(TCR)需要更高的退火温度; Cr-Si-Al-N电阻膜具有更高的电学稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董显平		7	38	3.0	6.0
2	吴建生		11	47	3.0	6.0
3	毛立忠		1	3	1.0	1.0