退火温度对Cr-Si压阻薄膜电性能的影响

• 作者: 冯琳 刘兴钊 刘治君 唐永旭 李瑶
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: Cr-Si-Ni-Ti 压阻薄膜 电阻温度系数 应变因子 电阻率
• 年，卷（期）: 2011,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与制剂
• 页码范围: 19-21
• 分类号: TP212
• 字数: 2577字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.11.006

摘要

采用射频磁控溅射法在氧化铝陶瓷基底上制备了Cr-Si-Ni-Ti压阻薄膜,研究了不同退火温度对薄膜电性能的影响.结果表明:在溅射态及退火温度低于600℃时,薄膜为非晶态.随着退火温度的升高,薄膜的电阻温度系数(TCR)逐渐增大,应变因子(GF)先增大后减小,室温电阻率(ρ)则逐渐降低.在退火温度为300℃时,Cr-Si-Ni-Ti压阻薄膜的电性能最好:TCR为-1.1×10-6/℃,GF为2.2,ρ为0.662 Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘兴钊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	56	310	9.0	14.0
2	李瑶	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	29	2.0	5.0
3	唐永旭	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	11	1.0	3.0
4	冯琳	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	1	1.0	1.0
5	刘治君	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	0	0.0	0.0