[N2]*2-N2分子二聚物的发射谱和受激辐射特性

• 作者: A.H.Hamdani 申作春 马祖光 高惠德 鲁建业
• 来源期刊: 中国科学A辑
• 学科: 物理学
• 关键词: 从头算 势能曲线 类准分子 振子强度 增益
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 330-336
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 4941字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9232.2002.04.006

摘要

理论上通过从头算法计算与理论分析证明存在D2h群对称性的[N2]2即N2分子二聚物,且存在电偶极允许的类准分子跃迁a1B2g→a1B3u. 理论计算获得的a1B2g→a1B3u跃迁的发射谱与实验观测到的结果很好地吻合. 利用微波激励高纯氮和放大自发辐射法研究了N2分子二聚物的受激辐射特性,实验研究结果表明,当微波功率大于100 W,充入N2气压在260～2200 Pa范围内N2分子二聚物在336.21 nm处存在受激辐射特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马祖光	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	31	315	9.0	16.0
2	鲁建业	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	22	153	5.0	12.0
3	申作春	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	18	125	6.0	11.0
4	高惠德	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	19	147	5.0	12.0