ZnCd(SCN)4晶体的电学性能和电光性能

• 作者: 吕孟凯 尹鑫 王新强 许东
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnCd(SCN)4晶体 压电应变常数 电光系数 介电常数
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 61-63
• 页数: 3页
• 分类号: Q482|O738
• 字数: 1765字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2002.01.017

摘要

测量了ZnCd(SCN)4晶体的介电常数和直流电导率,结果为:介电常数ε.=6.9,ε.=7.4.直流电导率р2=4.6×1010Ω@cm,рc=1.4×1011Ω@cm.并用干涉法测量了该晶体的全部压电应变常数和电光系数,其结果为:压电应变常数,d32=1.5 pC/N,d366=9.5 pC/N,d14=1.6 pC/N,d1 5=15.3 pC/N;电光系数γ13=0.04 pm/V,γ6 3=9.4 pm/V,γ41=1.3 pm/V,γ51=1.7 pm/V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王新强	山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室	25	140	6.0	11.0
2	吕孟凯	山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室	30	230	9.0	14.0
3	尹鑫	山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室	20	119	6.0	10.0
4	许东	山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室	39	239	9.0	14.0