近场暗室特性的分析

• 作者: 毛乃宏 郑会利
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 近场暗室 场特性 分析计算
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 261-263,270
• 页数: 4页
• 分类号: TN820
• 字数: 1807字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2002.02.027

摘要

讨论了近场暗室的电磁场特性,对暗室入射场、反射场的关系进行了分析,给出在工程中实用的近场暗室场特性的计算方法.最后提供了近场暗室场分布的计算结果,并对所给出的计算结果进行了讨论,结果表明,水平极化静区范围内场的波动小于垂直极化场,且材料反射性能越好静区范围越大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑会利	西安电子科技大学天线与微波技术国家重点实验室	19	115	6.0	10.0
2	毛乃宏	西安电子科技大学天线与微波技术国家重点实验室	27	107	7.0	8.0