多晶硅太阳电池用SiN薄膜的研究进展

• 作者: 席珍强 杨德仁 王晓泉
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: SiN 多晶硅 PECVD 太阳电池
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 23-25
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 3713字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2002.03.008

摘要

SiN薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用,已经越来越广泛地应用于多晶硅太阳电池的制造工艺中.介绍了SiN薄膜在硅太阳电池中的性质,制备方法等研究现状,同时提出了存在的问题并展望了今后的发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	席珍强	浙江大学硅材料国家重点实验室	22	539	13.0	22.0
3	王晓泉	浙江大学硅材料国家重点实验室	7	165	5.0	7.0